復(fù)旦大學(xué)俞少峰課題組從事先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件仿真、原子級(jí)材料仿真的研究，主要關(guān)注納米級(jí)尺度器件特性的微觀理解及集成電路未來技術(shù)的創(chuàng)新探索。目前主要研究方向包括：（1）環(huán)柵器件（GAACFET）的器件技術(shù)探索；（2）鐵電場效應(yīng)晶體管的器件及材料性能研究。誠邀對(duì)集成電路工藝器件技術(shù)的前沿探索有興趣并有志深度參與的優(yōu)秀博士加盟本研究組。
俞少峰，博士生導(dǎo)師，國家特聘專家，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員，國家集成電路創(chuàng)新中心常務(wù)副總經(jīng)理。先后在美國Intel、美國德州儀器和中芯國際等國際著名公司工作近30年，長期從事先進(jìn)工藝研發(fā)、管理，參與過從0.5微米到14納米所有10代邏輯工藝技術(shù)的開發(fā)。2011年10月至2019年1月在中芯國際擔(dān)任技術(shù)研發(fā)副總裁，負(fù)責(zé)中芯國際各類工藝技術(shù)研發(fā)，包括14nm FinFET工藝技術(shù)平臺(tái)從零到壹的建立。俞少峰博士擁有已授權(quán)專利約60項(xiàng)，發(fā)表國際領(lǐng)先雜志和會(huì)議論文60余篇。
課題組近年來發(fā)表的論文如下：
[1] Sun, B., Z. Xu, R. Ding, J. Yang, K. Chen, S. Xu, M. Xu, Y. Lu, X. Zhu*, S. Yu, and D. Zhang*, Analytical Model of CFET Parasitic Capacitance for Advanced Technology Nodes. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022. 69(3): p. 936-941.
[2] Zhao, G.-D., X. Liu, W. Ren, X. Zhu*, and S. Yu, Symmetry of ferroelectric switching and domain walls in hafnium dioxide. Physical Review B, 2022. 106(6): p. 064104.
[3] X. Zhu, R. Ding, Y. Li, Q. Wu and S. Yu, CFET 6T HD SRAM Designs with 3nm Design Rule, 2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2022, pp. 1-4, doi: 10.1109/CSTIC55103.2022.9856851.
[4] R. Ding, Y. Li, Y. Liu, Q. Wu, X. Zhu* and S. Yu, HD SRAM bitcell size shrink beyond 7nm node by CFET without EUV, 2021 International Workshop on Advanced Patterning Solutions (IWAPS), 2021, pp. 1-4, doi: 10.1109/IWAPS54037.2021.9671236.
一、待遇
1. 按照復(fù)旦大學(xué)博士后相關(guān)規(guī)定執(zhí)行，根據(jù)個(gè)人具體情況，提供具有競爭力的福利待遇，如博士后公寓，附屬幼兒園和附屬學(xué)校的配套教育資源；
2. 推薦優(yōu)秀博士后申請(qǐng)超級(jí)博士后；
3. 視應(yīng)聘者具體情況，課題組將提供額外個(gè)人補(bǔ)助，年薪25-30萬元及以上。
二、崗位職責(zé)
1. 能夠獨(dú)立開展科研工作、完成課題并發(fā)表文章。指導(dǎo)及幫助研究生的工作；
2. 協(xié)助參與課題組的日常管理。
三、招聘條件
1. 即將或已經(jīng)獲得物理，材料，微電子、計(jì)算機(jī)等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位。發(fā)表過第一作者SCI文章，熟悉文章發(fā)表流程；
2. 具備良好的思想素質(zhì)和職業(yè)操守，具有獨(dú)立科研的能力，工作努力，有責(zé)任心，熱愛科研工作；
3. 具有良好的溝通交流能力和團(tuán)隊(duì)合作精神；
4. 具有良好的中英文表達(dá)和寫作能力。
具有以下一項(xiàng)或多項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)者更佳 (非硬性條件)
1. 第一性原理計(jì)算 VASP， Quantum Espresso；
2. 量子多體場論，格林函數(shù)方法，微擾論等理論基礎(chǔ)知識(shí)；
3. 分子動(dòng)力學(xué)模擬仿真, 經(jīng)典動(dòng)力學(xué)，AIMD等；
4. TCAD 工藝和器件仿真工具的開發(fā)和應(yīng)用。
四、申請(qǐng)方式
請(qǐng)發(fā)送詳細(xì)的個(gè)人簡歷：包括學(xué)習(xí)工作經(jīng)歷、主要研究工作內(nèi)容、代表論文論著清單、獲得的獎(jiǎng)勵(lì)情況，及附加研究興趣簡要說明電子版至: shaofeng_yu@fudan.edu.cn并抄送xiaona_zhu@fudan.edu.cn。注：未通過初篩者恕不另行通知。
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