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應聘要求

1. 具有博士學位，品學兼優，身心健康；

2. 具有材料、物理、化學、微電子、光電等學科背景；

3. 近三年曾作為第一作者至少發表了1 篇具有一定影響力的研究論文。

4. 具有良好的團隊合作意識和獨立工作能力；

崗位職責

二維材料/寬禁帶半導體前沿交叉方向

分支1, 側重寬禁帶半導體，材料生長與器件研究:

1. 在二維材料上外延生長寬禁帶半導體，材料表征和測試；異質界面生長動力學研究。

2. 外延生長材料器件制作和探索；異質界面器件與物理

3. 對二維材料、柔性電子學等方向有一定了解及有相關研究經歷者更加歡迎；

分支2, 側重二維材料, 二維材料生長方向:

1. 大面積二維材料/薄膜（石墨烯、過渡金屬硫族化物等）的生長，有相關經驗者優先；新型二維材料的生長與探索；搭建生長設備等；

2. 對寬禁帶半導體方向有一定了解及有相關研究經歷者更加歡迎；

分支3, 側重二維材料, 二維材料異質界面的物理和化學方向:

1. 從事二維材料/二維材料、二維材料/寬禁帶半導體、二維材料/功能分子等異質界面上的物理和化學研究；探索電子學、光電或其他類型器件；

2. 對寬禁帶半導體方向有一定了解及有相關研究經歷者更加歡迎。

待遇

1. 選擇進入博士后工作站的研究人員原則上稅前年薪不低于40萬元人民幣（含地方政府人才補貼）；獲得國家自然科學基金、中國博士后科學基金和省級博士后科研項目資助者，杭州市、蕭山區財政給予相應的配套資助；博士后出站后留科創中心工作，可享受杭州市、蕭山區政府安家補助。

2. 參與科創中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼。

3. 提供一流的實驗與科學研究條件。

4. 提供蕭山區人才公寓或科創中心公寓。

5. 符合杭州市有關規定的，協助解決杭州市集體戶口；

6. 在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務。

7. 符合杭州市高層次人才標準的，可協助解決子女入園入托問題。

申請材料

1. 個人簡歷：學習工作經歷、主要研究工作內容等；

2．表明申請人研究能力和學術水平的成果（如學術論文、專利、獲獎情況等）；

研究組簡介

本研究組隸屬于浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室，和研究室內其他方向上展開合作。該研究室在半導體材料專家楊德仁院士指導下開展工作，研究室主任是皮孝東教授。浙江大學杭州國際科創中心（以下簡稱科創中心）是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰略合作共建的重大科技創新平臺，是浙江省打造“互聯網+”、生命健康和新材料三大科創高地的重大標志性工程。目前科創中心先進半導體研究院正發展具有從材料到系統集成的全鏈條研發能力，擁有國際一流的大型儀器設備和超凈實驗室等研發設施。

申請方法：

方式一